| 型号 | 封装 | 厂家 | 数量 | 咨询价格 | 在线订购 |
|---|---|---|---|---|---|
IPB12CNE8NG |
TO-263-3，D²Pak（2 引线+接片），TO-263AB | Infineon Technologies | 168 | 询价QQ： |
|
|
IPB12CNE8NG参数 产品类别：分立半导体产品-FET - 单 说明：MOSFET N-CH 85V 67A TO263-3 包装数量：1000 包装形式：带卷 (TR) PDF资料下载： FET 类型：MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 功能：标准 漏源极电压 (Vdss)：85V 电流 - 连续漏极 (Id)（25° C 时）：67A 不同?Id、Vgs 时的?Rds On（最大值）：12.9 毫欧 @ 67A，10V 不同 Id 时的 Vgs(th)（最大值）：4V @ 83µA 不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)：64nC @ 10V 不同 Vds 时的输入电容 (Ciss)：4340pF @ 40V 功率 - 最大值：125W 安装类型：表面贴装 |
|||||
热门型号： 晶体管(BJT) BC856BDW1T1G Linear - ISO124P 接线座 - 接头，1555860000 嵌入式 - 微控制EZ80F915050MOD 光学 - 光断续器HOA6981-L51 芯片电阻 - 表面RCL12185R62FKEK 接线板 - 接口模8155650000 矩形 - 配件967631-1 PMIC - 监控BU4918G-TR D-Sub，D 形8655MH3701BLF |
|||||